HEMT

HEMT

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• 网络高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor)；高电子迁移率电晶体；高电子迁移率管

例句

The model provides a valuable tool for the optimization and performance prediction of the double planar doped HEMT.

该模型为优化和预测双平面掺杂HEMT器件性能提供了一个有效手段。

Operation temperature and thickness of spacer both have great effect on the electrical properties of HEMT.

材料的工作温度和空间隔离层厚度对HEMT的电学性能都有很大的影响。

In one aspect, selective fluorine ion implantation is employed when developing HEMTs to create the enhanced back barrier structures.

在一个方面，在制备HEMT时可以利用选择性的氟离子注入来产生增强背势垒的结构。

At last, the effect of rapid thermal annealing on the electrical properties of HEMT material is studied.

最后我们研究了快速退火对HEMT材料电学性能的影响。